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| 結晶成長法 |
CZ法，FZ法 |
| ドーパント |
ｎ型（Phos，Sb） p型（B） |
| 面方位 |
（100） ＆ （111） |
| 結晶ｻｲｽﾞ |
φ2インチ ～ φ12インチ |
| 厚 さ |
350μｍ ～ 625μｍ |
| 仕上げ |
片面鏡面研磨 ＆ 両面鏡面研磨 |
| 抵抗率 |
≧0.01Ωcm，500Ωcm，≧1000Ωcm |
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| ◇エピタキシャルウエハ （3インチ ～ 6インチ） |
| ◇モニター、ダミーグレード |
| ◇単結晶及び多結晶加工品 （リング状，その他形状） |
| ◇膜付け加工（P-TEOS,
Low-K、その他各種成膜／4～１２インチ） |
| ◇φ6インチ～φ12インチ各種膜付け加工
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| 例）熱酸化膜 |
| プラズマTEOS膜＋Ta膜 （TaN膜）
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| LP-SiN膜 |
| Low-K膜 （Coral膜、Blackdiamond膜、SiC膜、その他）
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| Cuメッキ膜（下地処理込/シードﾞ層及びバリア層） |
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| 結晶成長法 |
VGF法、CZ法 |
| ドーパント |
n型（un，etc） p型（Ga） |
| 面方位 |
（100）,（111）＆（100）x
°off |
| 結晶サイズ |
φ2インチ ～ φ4インチ |
| 厚 さ |
350μｍ ～ 525μｍ |
| 仕上げ |
片面鏡面研磨 ＆ 両面鏡面研磨 |
| 抵抗率 |
≧0.01Ωcm, ＜＝50Ωcm |
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| 上記仕様に限らず、ご用命ご相談うけたまわります。 |
