| ■GaAs ベース
|
| マテリアル |
アプリケーション |
| GaAs |
PIN
Detectors. |
| AlGaAs |
Laser
Diode |
| AlGaInP |
Laser
Diode |
| AlGaAs |
LED |
| AlGaInP |
LED |
| AlGaAs |
VCSELs |
| AlGaAs |
RCLEDs |
| InGaP |
HBTs |
| InGaP,
AlGaAs |
P-HEMTs |
| ■InP ベース
|
| マテリアル |
アプリケーション |
| InGaAs |
PIN
Detectors. |
| AlGaInAs |
Avalanche
Photo Detectors. |
| InGaAsP |
Laser
Diode |
| AlGaInAs |
Laser
Diode |
| AlGaAsSb |
Laser
Diode |
| InGaAs
|
HBTs |
| ■成長方法
|
| MOCVD |
(Production,
R&D) |
| MBE |
(Production,
R&D) |
| ■評価項目 |
| 1.Double
crystal X-ray diffraction |
| 2.Photoluminescence |
| 3.Photoreflectance |
| 4.Van
der Pauw-Hall |
| 5.Resistivity
mapping |
| 6.Electrochemical
C-Vprofiling |
| 7.Reflectance
difference spectroscopy |
| 8.Profilometry |
| 9.Device
performance |
上記仕様に限らず、ご用命ご相談うけたまわります。 |
|