■ＶＧＦ　ガリウム砒素ウエハー　（ＧａＡｓ） 結晶成長法 ＶＧＦ法 ドーパント ｎ型（Sｉ） ｐ型（Zｎ） 半絶縁型（Uｎ） 面方位 （100）　＆　（100）オフアングル （111）、（311）、（411）など特殊面方位については、 最少枚数５枚から承ります。 結晶サイズ φ2インチ　〜　φ6インチ 仕上げ 片面鏡面研磨　＆　両面鏡面研磨 厚　さ 350μｍ　〜　650μｍ その他 キャリア濃度，抵抗率，モビリティー，EPD等はご指定下さい ■ＶＧＦ　インジウム燐ウエハー　（ＩｎＰ） 結晶成長法 ＶＧＦ法 ドーパント ｎ型（S，Sｎ） ｐ型（Zｎ） 半絶縁型（Ｆｅ） 面方位 （100）　＆　（100）オフアングル （111）、（311）、（411）など特殊面方位については、 最少枚数 5 枚から承ります。 結晶サイズ φ2インチ　〜　φ4インチ 仕上げ 片面鏡面研磨　&　両面鏡面研磨 厚　さ 350μｍ　〜　600μｍ その他 キャリア濃度，抵抗率，モビリティー，EPD等はご指定ください ■�U−�Y族ウエハー 品名 ＺｎＳｅ，ＺｎＳ，ＣｄＴｅ，ｅｔｃ 面方位 (100) ＆ (111) & (100) x°off 仕上げ 片面鏡面研磨　＆　両面鏡面研磨 厚　さ 500μm　〜　1000μm その他 キャリア濃度，抵抗率等はご指定下さい 多結晶については形状等をご指定下さい ■ＧａＡｓ on Si-Substrate　(スタンダードスペック) 結晶成長法 MOCVD法 結晶サイズ φ3インチ GaAsエピ層 ドーパント：Unドープ キャリア濃度：１E16cm-3 range or less 厚さ：1.5μｍ Si-Substrate 3インチ ■HgCdTe/CdTe on ＧａＡｓ-Substrate　(スタンダードスペック) 結晶成長法 MOCVD法 　 結晶サイズ φ2インチ HgCdTe層 ｘ＝0.18〜0.27、n-Type、厚さ：9-11μｍ CdTe層 Buffer layer GaAs-Substrate 2インチ 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　上記仕様に限らず、ご用命ご相談うけたまわります。   〒659-0068 兵庫県芦屋市業平町6番16号　芦屋ファルファーラ201号 TEL 0797-32-0046／FAX 0797-32-0304   〒101-0021 東京都千代田区外神田3-2-3 外神田第�Uナガシマビル７階 TEL：03-5298-1060／FAX：03-5298-1070 E-Mail info@mosangyo.com   Copyright (C) 2002 MO Sangyo. All Rights Reserved